1. 2SD1816T-TL-E
  2. 2SD1816T-TL-E

图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

2SD1816T-TL-E 

产品描述

Trans GP BJT NPN 100V 4A 3-Pin(2+Tab) TP-FA T/R

内部编号

277-2SD1816T-TL-E

生产厂商

on semiconductor

onsemi

#1

数量:1320
20+¥2.6505
40+¥2.5555
100+¥2.4605
200+¥2.3655
400+¥2.28
最小起订量:20
英国伦敦
当天发货,5-8个工作日送达.
立即询价

#2

数量:2248
1+¥5.0599
10+¥4.2394
100+¥2.7351
700+¥2.1881
1400+¥1.8462
4900+¥1.7778
9800+¥1.771
24500+¥1.6684
49700+¥1.641
最小起订量:1
美国加州
当天发货,1-3个工作日送达.
立即询价

#3

数量:9170
最小起订金额:¥₩600
新加坡
当天发货,1-3个工作日送达.
立即询价

订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

2SD1816T-TL-E产品详细规格

规格书 2SD1816T-TL-E datasheet 规格书
2SD1816T-TL-E datasheet 规格书
2SB1216/2SD1816
2SD1816T-TL-E datasheet 规格书
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 700
晶体管类型 NPN
- 集电极电流(Ic)(最大) 4A
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 100V
Vce饱和(最大)@ IB,IC 400mV @ 200mA, 2A
电流 - 集电极截止(最大) -
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 200 @ 500mA, 5V
功率 - 最大 1W
频率转换 180MHz
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供应商器件封装 2-TP-FA
包装材料 Tape & Reel (TR)
包装 3TP-FA
类型 NPN
引脚数 3
最大集电极发射极电压 100 V
集电极最大直流电流 4 A
最小直流电流增益 200@0.5A@5V
最大工作频率 180(Typ) MHz
最大集电极发射极饱和电压 0.4@0.2A@2A V
最大集电极基极电压 120 V
工作温度 -55 to 150 °C
最大功率耗散 1000 mW
安装 Surface Mount
标准包装 Tape & Reel
集电极最大直流电流 4
Maximum Transition Frequency 180(Typ)
包装宽度 5.5
PCB 2
最大功率耗散 1000
欧盟RoHS指令 Compliant
每个芯片的元件数 1
最大集电极基极电压 120
最低工作温度 -55
供应商封装形式 TP-FA
标准包装名称 TO-252
最高工作温度 150
包装长度 6.5
最大集电极发射极电压 100
包装高度 2.3
最大基地发射极电压 6
封装 Tape and Reel
标签 Tab
铅形状 Gull-wing
电流 - 集电极( Ic)(最大) 4A
晶体管类型 NPN
安装类型 Surface Mount
频率 - 转换 180MHz
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 400mV @ 200mA, 2A
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 100V
供应商设备封装 2-TP-FA
功率 - 最大 1W
封装/外壳 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 200 @ 500mA, 5V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
发射极 - 基极电压VEBO 6 V
增益带宽产品fT 130 MHz
晶体管极性 NPN
集电极 - 发射极最大电压VCEO 100 V
最低工作温度 - 55 C
配置 Single
最高工作温度 + 150 C
RoHS RoHS Compliant
长度 6.5mm
Board Level Components Y
最大直流集电极电流 4 A
最高工作温度 +150 °C
晶体管类型 NPN
安装类型 表面贴装
高度 2.3mm
最大基极-发射极饱和电压 1.2 V
最大功率耗散 20 W
宽度 5.5mm
封装类型 TP-FA
最大集电极-发射极电压 100 V
引脚数目 3
最小直流电流增益 40
尺寸 6.5 x 5.5 x 2.3mm
晶体管配置
最大发射极-基极电压 6 V
最大集电极-发射极饱和电压 400 mV
每片芯片元件数目 1
最大工作频率 180 MHz
最大集电极-基极电压 120 V
工厂包装数量 700
系列 2SD1816
品牌 ON Semiconductor
Pd - Power Dissipation 20 W
身高 2.3 mm

2SD1816T-TL-E系列产品

2SD1816T-TL-E相关搜索

订购2SD1816T-TL-E.产品描述:Trans GP BJT NPN 100V 4A 3-Pin(2+Tab) TP-FA T/R. 生产商: on semiconductor.芯天下有低价

咨询QQ

综合类:

热线电话

  • 北京
  • 010-82149921
    010-82149488
    010-57196138
    010-62155488
    010-82149008
  • 深圳
  • 0755-83997440
    0755-83975736
    0755-82511472
    0755-83247615
  • 苏州
  • 0512-67687578
    0512-67684200
    0512-68796728
    0512-67683728
  • 传真
  • 010-62178897;  0755-83995470;
  • 邮件: rfq@oneic.com